22.其中:1、還原爐2、尾氣冷卻器3、硅粉過(guò)濾器4、冷卻器5、冷卻器6、第三冷卻器7、回收氫氣進(jìn)管8、回收氫氣出管9、氯硅烷進(jìn)管10、氯硅烷出管原料硅粉經(jīng)氮氣輸送,通過(guò)硅粉緩沖槽而被卸入硅粉加料槽。用氫氣置換加料槽內的氣體并升壓與下方平衡后,硅粉用安裝于加料槽底部的供料閥送入三氯氫硅合成爐進(jìn)
本發(fā)明的硅粉過(guò)濾系統對還原尾氣中顯示全部 主題詞:硅粉殘液過(guò)濾器主過(guò)濾器硅粉過(guò)濾系統金屬膜攔截氯硅烷出口氯硅烷液體加熱器殘液加熱后續系統還原尾氣顆粒雜質(zhì)清液出口本技術(shù)的實(shí)施例提出一種超高純多晶硅及硅衍生物生產(chǎn)系統,包括混合器、還原爐、尾氣回收裝置、氫氣純化裝置、間壁精餾塔、氫化流化床、吸附反應器、歧化反應器
氣速過(guò)小,不能流化,床層為固定床型式,轉化率低,而且容易造成局部溫度過(guò)高,使催化劑失活,甚設備局部溫度過(guò)高造成設備損壞,甚具有安全風(fēng)險氣速過(guò)高,雖然能使轉化率增高,床層溫度13.s0,對還原尾氣進(jìn)行過(guò)濾,以去除還原尾氣中的硅粉顆粒 14.步驟s4之后,所述方法還包括: 15.s5,對第四氣體進(jìn)行吸附處理,以用于去除第四氣體中微量的氯化氫及硼
還原尾氣中硅粉攔截,在三氯氫硅合成工序生成,經(jīng)合成氣干法分離工序分離出來(lái)的氯硅烷液體送入氯硅烷貯存工序的原料氯硅烷貯槽在三氯氫硅還原工序生成,經(jīng)還原尾氣干法分離工序分離多晶硅主要的工藝包括,三氯氫硅合成、四氯化硅的熱氫化(有的采用氯氫化),精餾,還原,尾氣回收,還有一些小的主項,制氫、合成、廢氣廢液的處理、硅棒的整理等等
加氫冷凝液和還原尾氣冷凝液將進(jìn)入粗蒸餾塔進(jìn)行組分分離,夾帶的硅粉將以渣漿形式沉淀。 目前,在多晶硅生產(chǎn)中,許多廠(chǎng)家沒(méi)有去除還原尾氣和冷凝氯硅烷中夾帶的細硅粉,導致實(shí)際生產(chǎn)中這一反應會(huì )造成還原爐內渾濁不清的現象,這種現象被稱(chēng)為"霧化"。同時(shí),由于爐內尾氣溫度過(guò)高,當硅粉隨著(zhù)尾氣排出時(shí)會(huì )沉積在尾氣出口的管道上,累積后的硅粉會(huì )越積越多造成尾氣口管路通氣不暢,影響
睿德永新硅粉除塵器,,硅粉過(guò)濾器價(jià)格/報價(jià),在多晶硅生產(chǎn)過(guò)程中,如何選擇還原爐尾氣過(guò)濾器一直是一個(gè)難點(diǎn)。例如,過(guò)濾器和過(guò)濾面積選擇不當,會(huì )導致過(guò)濾器堵塞或硅粉過(guò)濾不完全,影響下35.隨著(zhù)還原尾氣處理量的不斷增加,在冷氫化裝置生產(chǎn)過(guò)程中,因工藝特性節能換熱器存在硅粉結垢后導致?lián)Q熱量下降,對應進(jìn)入電加熱器的混合氣體(h2和四氯化硅)溫度偏低,進(jìn)入硅粉過(guò)濾器
氫跳和硅粉都可以通過(guò)二次處理解決:硅粉目前主要從尾氣 排出后作為副產(chǎn)品收集并出售,收集比例超過(guò) 10%。硅粉目前的 解決方式主要有兩種,一種可以通過(guò)優(yōu)化反應器中的關(guān)鍵參數, 包括增加頂部帶出氣但合成爐出口氣體、還原爐高溫尾氣等工藝環(huán)節中一定量的未反應細硅粉(1~10um)和雜質(zhì)固體顆粒過(guò)濾否則,雜質(zhì)顆粒在蒸餾塔和管道中的沉積和堵塞將影響生產(chǎn)的連續性和安全性,因此有必要對上述工
1、精餾/冷氫化/還原/尾氣(班長(cháng)主副操/主副巡/學(xué)員) 招聘人數:50人 任職要求: ①大專(zhuān)及以上學(xué)歷、化工及化學(xué)專(zhuān)業(yè)方向 ②持有化工總控工職業(yè)資格證書(shū)優(yōu)先考慮還原尾氣依次經(jīng)過(guò) 硅粉過(guò)濾器、熱量回收、循環(huán)水冷卻、冷量回收換熱器、7℃水冷卻、10℃采用 R404A 制 冷劑,絕大部分氯硅烷冷凝后進(jìn)入氯硅烷緩沖罐后送入氯化氫精餾塔,不凝氣被還原尾氣 復熱后送
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1.本實(shí)用新型屬于多晶硅生產(chǎn)中冷氫化技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種冷氫化反應中尾氣處理系統。 背景技術(shù): 2.現有技術(shù)中,在生產(chǎn)多晶硅的冷氫化工段中,由氫化爐頂部出來(lái)送往廢氣處理工序進(jìn)行處理從氯化氫解析塔頂部得到提純的氯化氫氣體,送往放置于三氯氫硅合成工序的循環(huán)氯化氫緩沖罐從氯化氫解析塔底部引出的多余的氯硅烷液體(即從三氯氫硅
