2018年5月6日 在中國電科13所、55所、泰科天潤等十余家公司進(jìn)行的器件制造工藝驗證和生產(chǎn)數據表明,采用國產(chǎn)裝備制造的SiC器件產(chǎn)品性能和良率已接近進(jìn)口
2010年9月9日 摘要：在碳熱還原法合成SiC 生產(chǎn)中,供電參數對SiC 產(chǎn)品的產(chǎn)量、質(zhì)量及能耗有重要影響。以SiC 生產(chǎn)實(shí)測 關(guān)鍵詞：碳化硅 碳熱還原法；供電參數；數值模擬；溫度場(chǎng). 中圖分類(lèi) .. 燃燒法合成高純βSiC 超細粉的工藝. 參數[J]. 硅酸鹽
2018年7月2日 由于碳化硅在自然界中的存在極少,因此,碳化硅的生產(chǎn)主要由人工合成。 黑碳化硅和綠碳化硅的主要原料略有不同。其中黑碳化硅的原料是：石英
摘要：以Si 粉和SiC 顆粒為原料,采用碳化–氮化反應在1 400 ℃和1 500 ℃制備了SiC 質(zhì)耐火材料。采用X 射線(xiàn) 達到簡(jiǎn)化工藝、降低生產(chǎn)成本的目的。 有學(xué)者采用埋
2017年11月1日 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料 第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)非常長(cháng),貫穿了材料、芯片設計、制造工藝、封裝
碳化硅含量. SIC. 游離碳FC. FC. 三氧化二鐵. Fe2O3. 游離硅. SI. 硫含量. S 九鼎碳化硅生產(chǎn)工藝優(yōu)勢列析：. 1、國內創(chuàng )建機械混料生產(chǎn)模式,提高配料均勻度
2017年9月10日 摘要：本文回顧了半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發(fā)展史,簡(jiǎn)單介紹了 狀SiC 晶體,這種方法奠定了毫米級SiC單晶生長(cháng)的工藝基礎,此后,有關(guān)SiC的研究 公司專(zhuān)門(mén)開(kāi)展SiC晶體生長(cháng)和SiC晶片的商業(yè)化生產(chǎn),加快了SiC材料的實(shí)用
2011年4月16日 碳化硅陶瓷工藝流程之SiC粉末的合成 2009.10.27 SiC陶瓷的生產(chǎn)工藝包括SiC粉末的合成和碳化硅陶瓷的燒結兩部分。 SiC在地球
2018年3月13日 我國是全球碳化硅的生產(chǎn)國和出口國,碳化硅行業(yè)經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,目前其冶煉生產(chǎn)工藝、技術(shù)裝備和單噸能耗已經(jīng)達到了水平,黑、綠
完整的4/6寸生產(chǎn)流程線(xiàn),擁有碳化硅外延、高溫離子注入、高溫退火、高溫氧化等全套工藝設備,提供完整的器件生產(chǎn)或部分工藝步驟定制；. ? 全生產(chǎn)流程可控,
在耐火材料工業(yè)中,碳化硅用來(lái)生產(chǎn)各種碳化硅磚,也可用作添加劑或抗氧化劑。 . 圖3為重結晶碳化硅磚工藝流程圖重結晶碳化硅磚制造工藝要點(diǎn)：(1)級配必須能
2018年1月3日 次數,一般為8 次。 (17)檢驗封裝：經(jīng)檢驗合格的產(chǎn)品進(jìn)行包裝,終得到產(chǎn)品碳化. 硅晶體襯底。本項目生產(chǎn)工藝流程圖見(jiàn)圖35。 3.5.2 產(chǎn)污環(huán)節分析.
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要 此外還有立方碳化硅,它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體,用以制作的磨具適于
2013年8月4日 碳化硅是十八世紀末發(fā)明的一種人造材料,其工業(yè)化生產(chǎn)的歷史僅有不到120 . 我國碳化硅冶煉生產(chǎn)工藝、技術(shù)裝備和單噸能耗達到水平。
2016年3月9日 碳化硅SiC材料的性能、SiC器件展現出的優(yōu)良特性以及功率半導體 隨著(zhù)SiC材料生產(chǎn)工藝的進(jìn)展,在近年來(lái)SiC技術(shù)在減少缺陷密度上取得了
在耐火材料工業(yè)中,碳化硅用來(lái)生產(chǎn)各種碳化硅磚,也可用作添加劑或抗氧化劑。 . 圖3為重結晶碳化硅磚工藝流程圖重結晶碳化硅磚制造工藝要點(diǎn)：(1)級配必須能
半導體晶片. 碳化硅(SiC). Si. 單晶提拉. (CZ工藝). 襯底晶片. 半導體晶片. 硅(Si) 采用特種石墨制成的部件在許多半導體生產(chǎn)工藝中起著(zhù)不可或缺我們的產(chǎn)品組合
2018年5月1日 SiC被發(fā)現并應用于工業(yè)生產(chǎn)已有百余年的歷史,但是將其用于功率電子領(lǐng)域則是 英飛凌一直在不斷開(kāi)發(fā)碳化硅前沿的技術(shù),產(chǎn)品以及解決方案,致力于滿(mǎn)足用戶(hù)對 圖3： 英飛凌CoolSiC系列的第5代工藝肖特基二極管結構圖.
在張學(xué)軍研究員帶領(lǐng)下,歷經(jīng)8年技術(shù)攻關(guān),研究團隊完成了SiC鏡坯制備、非球面加工檢測、SiC表面改性和反射鏡表面鍍膜的制造設備研制與制造工藝研究,形成了4
金蒙新材料（原金蒙碳化硅）公司針對碳化硅陶瓷制品的生產(chǎn)工藝特點(diǎn),改進(jìn)生產(chǎn)工藝,提高了生產(chǎn)線(xiàn)的自動(dòng)化運行,杜絕了微粉生產(chǎn)過(guò)程中大粒雜質(zhì)的混入,確保了金
2016年3月9日 碳化硅SiC材料的性能、SiC器件展現出的優(yōu)良特性以及功率半導體 隨著(zhù)SiC材料生產(chǎn)工藝的進(jìn)展,在近年來(lái)SiC技術(shù)在減少缺陷密度上取得了
2018年7月2日 由于碳化硅在自然界中的存在極少,因此,碳化硅的生產(chǎn)主要由人工合成。 黑碳化硅和綠碳化硅的主要原料略有不同。其中黑碳化硅的原料是：石英
上世紀四五十年代,以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的代半導體材料奠定了微電子產(chǎn)業(yè)的基礎。經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,硅材料的制備與工藝日臻,Si基器件的設計和開(kāi)發(fā)
