碳化硅是一種黑色陶瓷,和其他的精密陶瓷相比,在高溫環(huán)境（1000℃以上）中機械強度降低幅度小、耐磨耗性高。 因其強共價(jià)鍵,在各種精密陶瓷材料中硬度、耐
碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑為原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物－莫桑石中。 碳化硅又稱(chēng)金鋼砂或耐火砂。碳化硅
碳化硅又稱(chēng)金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂,石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料在電阻爐內經(jīng)高溫冶煉而成。目前我國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅
2017年9月10日 2 半導體碳化硅單晶材料發(fā)展史. SiC是早發(fā)現的半導體材料之一,自1824年瑞典科學(xué)家Berzelius在人工合成金剛石的過(guò)程中觀(guān)察到SiC多晶相
碳化硅是由美國人艾奇遜在1891年電熔金剛石實(shí)驗時(shí),在實(shí)驗室偶然發(fā)現的一種碳化物,當時(shí)誤認為是金剛石的混合體,故取名金剛砂,1893年艾奇遜研究出來(lái)了工業(yè)
2016年12月14日 了解碳化硅(SiC) 的歷史,包括不同用途、利與弊以及使用SiC 制造的產(chǎn)品。
SiC是主要的第三代半導體材料。與代半導體Si和代半導體GaAs等單晶材料相比,SiC晶體具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場(chǎng)
碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導體組別。與常用硅(Si)器件相比,它們?yōu)楦邏汗β拾雽w提供了許多有吸引力的特性。特別是,碳化硅具備更高的擊穿電場(chǎng)強度
摘要：以Si 粉和SiC 顆粒為原料,采用碳化–氮化反應在1 400 ℃和1 500 ℃制備了SiC 質(zhì)耐火材料。采用X 射線(xiàn)衍射儀、掃描電子顯微鏡和能譜. 儀等對試樣的物相
碳化硅(SiC) 是一種化學(xué)活性較低的物質(zhì),具有高導熱性,能夠強烈吸收微波能量。采用SiC 作為容器材質(zhì)使得微波化學(xué)更具吸引力,它不僅可以縮短整個(gè)工藝時(shí)間,
說(shuō)點(diǎn)自己的初步看法,近在看碳化硅功率器件類(lèi)的項目,略有些研究, .. 促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅（SI）材料的負載量已到達極限,以硅作為
碳化硅是一種黑色陶瓷,和其他的精密陶瓷相比,在高溫環(huán)境（1000℃以上）中機械強度降低幅度小、耐磨耗性高。 因其強共價(jià)鍵,在各種精密陶瓷材料中硬度、耐
因為高耐壓功率元件的電阻抵抗成分幾乎都是此漂移層的電阻,SiC則每單位面積的導通電阻非常低,可實(shí)現高耐壓元件。 理論上相同的耐壓相較於Si,可減低1/300
可從豐富的材料及的特性中任意選擇,京瓷精密陶瓷的機械特性碳化硅的特性選擇頁(yè)面。
碳化硅是由硅與碳元素以共價(jià)鍵結合的非金屬碳化物,硬度僅次于金剛石和碳化硼?；瘜W(xué)式為SiC。無(wú)色晶體,表面氧化或含雜質(zhì)時(shí)呈藍黑色。具有金剛石結構的碳化硅
早在1824年,瑞典科學(xué)家Berzelius(1779一1848)在人工合成金剛石的過(guò)程中觀(guān)察到了SiC的存在,但是因為天然的SIC單晶極少,當時(shí)人們對SIC的性質(zhì)幾乎沒(méi)有
碳化硅是由美國人艾奇遜在1891年電熔金剛石實(shí)驗時(shí),在實(shí)驗室偶然發(fā)現的一種碳化物,當時(shí)誤認為是金剛石的混合體,故取名金剛砂,1893年艾奇遜研究出來(lái)了工業(yè)
日本日新技研公司的升華發(fā)碳化硅長(cháng)晶設備,在日本國內得到了國際的碳化硅 的控制上仍有先天上的技術(shù)瓶頸,但在當前仍然是碳化硅襯底的主要生產(chǎn)方式。
2015年6月22日 SiC的產(chǎn)業(yè)應用. 採用SiC材料研製的元件種類(lèi)很多,以下介紹其應用之概況。 （1）高溫和高功率半導體元件. SiC材料的能帶和高溫穩定性使得它在
2016年12月14日 了解碳化硅(SiC) 的歷史,包括不同用途、利與弊以及使用SiC 制造的產(chǎn)品。
2018年5月7日 碳化硅是一種人工合成的碳化物,分子式為SiC。通常是由由二氧化硅和碳在通電后2000℃以上的高溫下形成的。
碳化硅是由硅與碳元素以共價(jià)鍵結合的非金屬碳化物,硬度僅次于金剛石和碳化硼?；瘜W(xué)式為SiC。無(wú)色晶體,表面氧化或含雜質(zhì)時(shí)呈藍黑色。具有金剛石結構的碳化硅
2017年2月23日 碳化矽、SiC﹙Silicon Carbide﹚是比較新的半導體材料。一開(kāi)始. SiC的物性和特徴. SiC是由矽﹙Si﹚和碳﹙C﹚所構成的化合物半導體材料。
