2018年7月20日 作為碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的中游產(chǎn)品,碳化硅外延片對整個(gè)產(chǎn)業(yè)起著(zhù)承上啟下的關(guān)鍵。 . 剖析中國大陸集成電路制造供應鏈的《中國集成電路產(chǎn)業(yè)報告》 9月6日,晶盛機電日前在接受機構調研時(shí)表示,半導體行業(yè)迎來(lái)新的
2018年8月1日 在過(guò)去的十五到二十年中,碳化硅電力電子器件領(lǐng)域取得了令人矚目的成, 隨著(zhù)SiC 單晶和外延材料技術(shù)的進(jìn)步,各種類(lèi)型的SiC器件被開(kāi)發(fā)出來(lái)。 . 年中國重組人干擾素α2b軟膏項目行業(yè)市場(chǎng)深度調研及投資戰略研究分析報告
中國也緊跟世界步伐,成為世界上為數不多的碳化硅材料襯底,材料外延產(chǎn)業(yè)化的國家。在SiC半導體器件設計和制造工藝方面也在向世界先進(jìn)水平邁進(jìn)。目前,中國
2018年4月11日 大基金總裁丁文武密集調研寬禁帶半導體發(fā)展情況 國際水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管,以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片。 碳化硅是開(kāi)發(fā)早的寬禁帶半導體材料,早在1824年被發(fā)現了,但直到1955年, . 【轉載】SEMI報告：2016年季度全球半導體設備銷(xiāo)售額為83億美元 · 意法半導體
研究器件方面的進(jìn)展調研,包括研究文獻、新設計、新技術(shù)、新產(chǎn)品等 負責相關(guān)技術(shù)報告和項目報告的編寫(xiě)；. 5． 有碳化硅外延相關(guān)項目和課題研究經(jīng)驗； 3.
未來(lái)分享經(jīng)濟發(fā)展呈現五大趨勢：內涵持續深化,外延不斷擴大；. 競爭日趨 本報告誕生于2016 年并非偶然,因為分享經(jīng)濟正面臨從起步到. 起飛的重要轉折點(diǎn)。 .. 根據調研公司CB Insights 的數據,截2016 年2 月4 日,全. 球價(jià)值在10 億美元以上
2018年7月13日 近幾年中國也出現了具備一定量產(chǎn)能力的 SiC 襯底制造商,如天科合 參考觀(guān)研天下發(fā)布《2018年中國化合物半導體市場(chǎng)分析報告行業(yè)深度調研與投資前景研究》 外延生長(cháng)主要包括 MOCVD（化學(xué)氣相沉淀）技術(shù)以及 MBE（分子束
2018年5月25日 歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件、應用產(chǎn)業(yè)鏈,擁有英飛凌、意法 據Yole報告數據顯示,2021年全球SiC市場(chǎng)規模將上漲到5.5億
2018年8月1日 在過(guò)去的十五到二十年中,碳化硅電力電子器件領(lǐng)域取得了令人矚目的成, 隨著(zhù)SiC 單晶和外延材料技術(shù)的進(jìn)步,各種類(lèi)型的SiC器件被開(kāi)發(fā)出來(lái)。 . 年中國重組人干擾素α2b軟膏項目行業(yè)市場(chǎng)深度調研及投資戰略研究分析報告
未來(lái)分享經(jīng)濟發(fā)展呈現五大趨勢：內涵持續深化,外延不斷擴大；. 競爭日趨 本報告誕生于2016 年并非偶然,因為分享經(jīng)濟正面臨從起步到. 起飛的重要轉折點(diǎn)。 .. 根據調研公司CB Insights 的數據,截2016 年2 月4 日,全. 球價(jià)值在10 億美元以上
為了改善3CSiC單晶薄膜結晶質(zhì)連SiC單晶薄膜微觀(guān)結構與碳化工藝是3CSiC/Si異質(zhì)外延研究的關(guān)鍵。研究了碳化工藝、3CSiC薄膜外延生長(cháng)溫度、x（C）/x（Si）氣相
中國也緊跟世界步伐,成為世界上為數不多的碳化硅材料襯底,材料外延產(chǎn)業(yè)化的國家。在SiC半導體器件設計和制造工藝方面也在向世界先進(jìn)水平邁進(jìn)。目前,中國
本報告篇分析了中國半導體硅片、外延片行業(yè)的發(fā)展環(huán)境；篇對國內外單晶硅片 本報告還對半導體硅片、外延片發(fā)展趨勢進(jìn)行了預測,同時(shí)從投資潛力、投資現狀出發(fā) 圖表23：2017年我國SiC、GaN電力電子產(chǎn)業(yè)和微波射頻產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值（單位：萬(wàn)元） .. 可行性報告 · 產(chǎn)業(yè)園區規劃 · 產(chǎn)業(yè)規劃 · 特色小鎮 · 互聯(lián)網(wǎng)+咨詢(xún) · 專(zhuān)項調研.
2016年8月14日 調查情況,編制了《2016年中國LED芯片行業(yè)調研報告(第七版)》,報告 . 及微波器件,功率開(kāi)關(guān)器件及適用于生產(chǎn)及科研的碳化硅(SiC)外延片。
2016年11月29日 調研報告 碳化硅（SiC）作為功率器件的能量損耗只有硅（Si）器件的功率50%,發(fā)熱量也只有硅（Si）器件 同時(shí)將結合國內多家投資公司,建立一個(gè)規模10億人民幣的碳化硅產(chǎn)業(yè)基金,用于碳化硅晶體及下游外延,器件產(chǎn)業(yè)的投資。
2013年5月2日 目前,天域已配備世界的有關(guān)生產(chǎn)及SiCCVD配套檢測設備,并于2012年下半年 全球少數可生產(chǎn)碳化硅外延片廠(chǎng)商之列,主力向美國及日本等地客戶(hù)推廣及銷(xiāo)售。 .. 6 詳情請參考本局的「2012年香港貿易及制造商調查」報告
2016年7月30日 由IndustryARC公布,根據氮化鎵市場(chǎng)分析調查報告：預測2015到2020年, 與硅、碳化硅、鋁等其他常規材料相比,氮化鎵是一種非常優(yōu)越的半導體化合物。 有襯底上進(jìn)行GaN 外延有幾個(gè)技術(shù)上優(yōu)勢,同時(shí)也可以提高設備的性能。
2016年11月29日 調研報告 碳化硅（SiC）作為功率器件的能量損耗只有硅（Si）器件的功率50%,發(fā)熱量也只有硅（Si）器件 同時(shí)將結合國內多家投資公司,建立一個(gè)規模10億人民幣的碳化硅產(chǎn)業(yè)基金,用于碳化硅晶體及下游外延,器件產(chǎn)業(yè)的投資。
2016年6月20日 本報告提供覆蓋從材料到外延產(chǎn)品,再到模組的SiC功率半導體產(chǎn)業(yè)環(huán)境介紹,并闡述了Yole Développement對市場(chǎng)動(dòng)態(tài)和未來(lái)發(fā)展的見(jiàn)解。
2016年8月14日 調查情況,編制了《2016年中國LED芯片行業(yè)調研報告(第七版)》,報告 . 及微波器件,功率開(kāi)關(guān)器件及適用于生產(chǎn)及科研的碳化硅(SiC)外延片。
2017年11月21日 電子行業(yè)深度報告：功率半導體行業(yè)格局和產(chǎn)業(yè)趨勢功率半導體是大國重器, (2)碳化硅外延片技術(shù)在持續進(jìn)步,顆粒污染等缺陷率在持續下降,推動(dòng)芯片 和電機控制逆變器搭載了碳化硅功率器件, 據產(chǎn)業(yè)鏈調研信息,比亞迪已經(jīng)
2018年7月15日 本報告總覽了功率SiC產(chǎn)業(yè),覆蓋了從材料到外延到模組的整個(gè)價(jià)值鏈。本報告還提出了Yole對當前市場(chǎng)動(dòng)態(tài)和未來(lái)發(fā)展趨勢的獨到見(jiàn)解。
外延片處于LED產(chǎn)業(yè)鏈中的上游環(huán)節,是半導體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)含量、對終產(chǎn)品 LED外延片是指在一塊加熱適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石、SiC、Si等）上所生長(cháng) . 參考資料: [1]^ 中國投資咨詢(xún)網(wǎng)：中國LED外延片市場(chǎng)調研報告2012 引用
