碳化物的形態(tài)主要是短棒狀和橢圓形,如圖3所示。(一)、b)結果表明,當保溫時(shí)間從1小時(shí)增加到5小時(shí)時(shí),碳化物顆粒大小從微米的2 3增加到微米的4 5局部顆粒尺寸已經(jīng)10多微米碳化物的分ε碳化物具有密排六方結構,呈狹條狀或細棒狀,和基體有一定的取向關(guān)系。初生的 ε碳化物很可能和基體保持共格。在250℃回火后,馬氏體內仍保持含碳約0.25%。含碳低于 0.2%的
貝氏體碳化物形貌奧氏體bainiticbainite MATERIALSANDHEATTREATMENTVol海燕,玉峰,內蒙古科技大學(xué)材料與冶金學(xué)院,內蒙古包頭014010)通過(guò)對多種工業(yè)用鋼貝氏結果 表明,隨著(zhù)長(cháng)期時(shí)效進(jìn)行,合金中初生的MC型碳化物可分解為M6C型碳化物,且數量隨時(shí)效時(shí)間延長(cháng)而增加.當時(shí)效時(shí)間為500 h時(shí),顆粒狀M6C型碳化物轉變?yōu)閴K狀,并在
這使 奧氏體突破共晶碳化物對奧氏體的包圍而快速增長(cháng),破壞了碳化物網(wǎng)絡(luò )的連續 性,使碳化物由條片狀轉變?yōu)槎贪魻詈途栈?進(jìn)一步增強了奧氏體的連續性, 從而減小了大片狀網(wǎng)從總體上觀(guān)察,LDED SX高溫合金中的碳化物呈塊狀和短棒狀的不連續形貌。如圖11所示,放大觀(guān)察顯示,與鑄態(tài)相比,LDED試樣中的碳化物明顯細化。初生MC的生長(cháng)特性主要受其固液界面形貌的
短棒狀碳化物在退火加熱溫度低時(shí)呈層狀分布,出現類(lèi)珠光體團隨溫度升高,層狀減弱。正火后820～860℃退火組織為顆粒狀碳化物和片層狀珠光體組織,顆粒狀碳化物均勻分布于珠光體使共晶體轉變過(guò)程中奧氏體和碳化物兩相的生長(cháng)速度出現差異,導 致共晶奧氏體生長(cháng)速度超過(guò)了共晶滲碳體的生長(cháng)速度,這使奧氏體突破共晶碳 化物對奧氏體的包圍而快速增長(cháng),破壞
導致共晶奧氏體生長(cháng)速度超過(guò)了共晶滲碳體的生長(cháng)速度,這使奧氏體突破共晶碳化物對奧氏體的包圍而快速增長(cháng),破壞了碳化物網(wǎng)絡(luò )的連續性,使碳化物由條片狀轉變?yōu)槎贪魻詈途栈?進(jìn)一步通過(guò)對多種工業(yè)用鋼貝氏體碳化物的電鏡觀(guān)察和理論分析,結果表明:貝氏體碳化物呈短棒狀,層片狀,纖維狀,楔形等形形色色的形貌.在貝氏體鐵素體(BF)內部不具備形成碳化物的條件
這使奧氏體突破共晶碳 化物對奧氏體的包圍而快速增長(cháng),破壞了碳化物網(wǎng)絡(luò )的連續性,使碳化物由條片 狀轉變?yōu)槎贪魻詈途栈?進(jìn)一步增強了奧氏體的連續性,從而減小了大片狀網(wǎng)61 一種氫氧化銪納米結構的可控合成方法,所述制備方法包括:以氯化銪和氫氧化鈉為原料,通過(guò)水熱合成技術(shù)控制性合成出七種氫氧化銪納米結構,形貌分別為短六棱柱狀、長(cháng)六棱柱狀、卷棒狀、短棒狀、長(cháng)
球化退火后的碳化物如圖1所示,已無(wú)明顯的棒狀或片層狀碳化物,達到了預期效果。通過(guò)ThermoCalc熱力學(xué)軟件和數據庫TCFe8可以計算實(shí)驗用GCr15軸承鋼的鐵碳相圖,如局部區域的高倍SEM可有效用于分析每個(gè)樣品淬火區的未溶解碳化物(見(jiàn)圖7)。對于用較低激光功率處理的樣品#2,在淬火區觀(guān)察到未溶解的碳化物,其中大多數是具有高熱穩定性的棒狀Cr3C2(如
楊軍等[37]對高鉻鑄鐵鐵液用瞬時(shí)變質(zhì)處理, 大大細化了初生碳化物, 使碳化物從斷續網(wǎng)狀、長(cháng)條狀變成細小顆粒狀和短棒狀, 而且分布比較均勻。盡管通過(guò)以上幾種不從總體上觀(guān)察,LDED SX高溫合金中的碳化物呈塊狀和短棒狀的不連續形貌。如圖11所示,放大觀(guān)察顯示,與鑄態(tài)相比,LDED試樣中的碳化物明顯細化。初生MC的生長(cháng)特性主
由于M7C3碳化物的結晶形態(tài)為六棱柱棒狀,長(cháng)徑比大,其性能表現出明顯的各向異性。其生長(cháng)方向使鐵基材料的耐磨性也表現出明顯的各向異性。研究結果表明,M7C3碳化物短軸截面上的顯微硬參見(jiàn)圖3,對實(shí)施例3合金中的碳化物的形貌和分布進(jìn)行了觀(guān)察。nbc在高溫下長(cháng)時(shí)間時(shí)效后相比于實(shí)施例2尺寸變化不大,主要分布于晶粒內部m23c6碳化物在晶界處不連續析出,呈粒狀或短棒狀。
使共晶體轉變過(guò)程中奧氏體和碳化物兩相的生長(cháng)速度出現差異,導 致共晶奧氏體生長(cháng)速度超過(guò)了共晶滲碳體的生長(cháng)速度,這使奧氏體突破共晶碳 化物對奧氏體的包圍而快速增長(cháng),破壞析出相從網(wǎng)狀M3C(HV 900~1 100)碳化物到高硬度,呈棒狀、短棒狀彌散分布的M7C3(HV 1 300~1 800)型碳化物,以及呈點(diǎn)狀、團球狀MC(HV 2 600左右)型碳化物轉變過(guò)程
