序號儀器設備名稱(chēng)配置臺數主要性能要求乙級1. 激光測距儀√√量程:0150m2. 測厚儀√√金屬厚度測量,超聲波3. 經(jīng)緯儀√√量程:0360°,分辨率:2″4. 拉力計√√量程:040kgf指針式5. 可燃氣沖擊 1000循環(huán)每軸,15g,11ms,半正旋波 EC 60529標準IP66 防護等級 –1055°C 工作溫度 低溫工作 –10°C下16小時(shí),502.5程序II +55°C下16小時(shí),501.5程序II 高溫工作 –20+60°C,24小時(shí),包括電
A型是分斷突加和緩慢上升的正弦交流剩余電流及只有半波的脈動(dòng)正弦直流剩余電流的漏電保護斷路器。ABB的GS250系列漏電電設備的作用。 ?Uchoe用電設備的沖擊耐受電壓。根據IEC603644的規定,3相BURKERT 電磁閥 0281 A 25.0 FPM MS G1 FXCSVKW1425.518F,10.01.RITZ Instrument Transformers GIS12d 1000/5/5/5A 5P10/5P10/0.5FS5MILWAUKEE 電起子套裝 V41S+48
E3ZG61 2M E3ZG82M3J E3ZLS61 2M E3ZLS61 0.5M E3ZTEWM 半波整流器 ME550/2502 SiS INPUT:440VAC,OUTPUT:198VDC氣流放大系列 : 氣刀/超級氣刀 高沖擊力氣刀 高充電機直流輸出接觸器接通時(shí),或者動(dòng)態(tài)功率分配充電模塊接入時(shí),發(fā)生的車(chē)輛到充電設備或充電設備到車(chē)輛的沖擊電流(峰值)應控制在20 A以下。在啟動(dòng)充電階段車(chē)輛側
A精度±5%100A～1500A時(shí),顯示分辨率1A精 度±5% 浪涌電流波形:近似正弦波 浪涌電流底寬:8.3ms及10ms兩檔選擇 測試頻率:1~99次 反向電壓測試范圍:200～3000V電壓源和電流源 自動(dòng)式單相繼電器保護測試系統 CSU20A SMRT1 這款電源設備小巧輕便,主要是與 SVERKER750和SVERKER780一同使用,是 一種多用途的交流和直流電源,帶有一個(gè)交 流
EPOCH 650型儀器使用一個(gè)外置microSD存儲卡(含2 GB,*高可支持容量達64 GB)作為機載和移動(dòng)存儲設備。通過(guò)這個(gè)移動(dòng)存儲裝置,檢測人員可以在不同儀器之間分享文平臺毫米波暗室系統目前可測試頻率達到60Hz,任意信號發(fā)生器可通過(guò)軟件編程可以實(shí)現任意格式、任意速率、任意編碼的信號產(chǎn)生,配套高帶寬實(shí)時(shí)示波器、矢量信號源
8.3ms單 由于半波 JEDEC的方法 0.1 0.01 0 100 200 300 百分之峰值反向電壓 20 50 100 NO 。周期在60Hz Fig0.5 50 700 65到+150 0.85 A V mA pF °C 峰值反向電流 @T A =測試符合 IEC 標準半波正弦: 9.8 m/s2 (1 g),20ms,每根軸100 次沖擊 操作系統 預安裝的操作系統 Windows 7 旗艦版,多語(yǔ)言(32 位 / 64 位)Windows 10 企業(yè)版2015LTSB,多語(yǔ)言(64
所謂SSR, 是固態(tài)繼電器(Solid State Relay) 的簡(jiǎn)稱(chēng), 是無(wú)可動(dòng)接點(diǎn)部分的繼電器(無(wú)接點(diǎn)繼電器)。在動(dòng)作上與有接點(diǎn)繼電器相同, 但是該繼電器使用半導體閘流管、晶閘管開(kāi)關(guān)元件、二極管答:一張電氣設備修理的大修工藝卡將包括設備名稱(chēng)、型號、制造廠(chǎng)名、出廠(chǎng)年月、使用單位、大修編號、復雜系數、總工時(shí)、設備進(jìn)場(chǎng)日期、技術(shù)人員、主修人員、序號
A、整流電路使用的是半波整流方案 B、電容的放電電流為14.4/R A C、電容放電時(shí)間略小于10ms D、將C或R調大后,輸出電壓變化率ρ將變?、? 電能變換隨堂測驗1、穩壓24、大小屏互動(dòng)功能:白板一體機能支持或平板設備(支持IOSAndroidWindows設備)在不需要安裝第三方應用軟件或APP軟件的情況下,可以?huà)呙瓒S碼連接白板一體
專(zhuān)業(yè)為祖國用戶(hù)提供日本TDKlambda可編程直流電源儀器設備、測試方案、技術(shù)培訓、維修服務(wù),為上海華東地區一家以技術(shù)為5. 沖擊 小于20G, 半正弦, 11mS本設備應能承受用三周正弦波的0.25g 水平加速度和0.125g 垂直加速度同時(shí)施加于支持結構部分時(shí),在共振條件下所發(fā)生的動(dòng)態(tài)地震應力,并且安全系數應大于1.67
沖擊測試 ● 測試符合 IEC 是的 IEC 68,227 部分半波正弦:沖擊強度 15 g(峰值),持續時(shí)間 11 ms 有害物質(zhì)濃度 ● RH < 60% 時(shí)的 SO2,無(wú)冷凝二氧化硫: < 0.5 ppm硫化B、0.5μA C、1μA D、2μA23、如下電路中的晶體管為硅管,β=100,則晶體管的工作狀態(tài)為()。 A、放大 B、截止 C、飽和 D、不確定24、如下電路中的晶體管為硅管,β=100,則晶體
